IGBT/Diode

理想的な IGBT、GTO、または MOSFET および逆向きに接続されたダイオードを実装する

ライブラリ

Simscape / Electrical / Specialized Power Systems / Power Electronics

IGBT/Diode ブロックは、IGBT (あるいは GTO または MOSFET)/ダイオードのペアの簡略化モードであり、そこでは強制整流デバイスおよびダイオードの順電圧が無視されます。

Internal resistance Ron: IGBT デバイスの内部抵抗 Ron。単位はオーム (Ω) です。既定は 1e-3 です。
Snubber resistance Rs: スナバ抵抗。単位はオーム (Ω) です。既定は 1e5 です。[Snubber resistance Rs] パラメーターを inf に設定すると、モデルからスナバが削除されます。
Snubber capacitance Cs: スナバ静電容量。単位はファラド (F) です。既定は inf です。[Snubber capacitance Cs] パラメーターを 0 に設定するとスナバが削除され、inf に設定すると抵抗スナバが得られます。
Show measurement port: オンの場合、ダイオード IGBT の電流と電圧を返すブロックへの Simulink^® 出力を追加します。既定はオンです。

g

IGBT の開閉を制御する Simulink 信号。

m

ブロックの Simulink 出力は、2 つの信号を含むベクトルです。Simulink ライブラリで提供される Bus Selector ブロックを使用して、これらの信号を逆多重化できます。

信号	定義	単位
1	IGBT/ダイオードの電流	A
2	IGBT/ダイオードの電圧	V

IGBT/Diode ブロックは、実際の IGBT デバイスおよびダイオードデバイスのマクロモデルを実装します。デバイスの形状も、複雑な物理プロセスも考慮されません [1]。

IGBT/Diode ブロックは、スナバ回路が使用されていない限り、インダクター、電流源、あるいは開回路と直列に接続することはできません。

R2006a で導入