Diode
ダイオード モデルを実装
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説明
ダイオードは、固有の電圧 Vak と電流 Iak によって制御される半導体デバイスです。順バイアスがかかっている場合 (Vak > 0)、ダイオードは小さな順電圧 Vf がかかる状態で導通を開始します。デバイスへの電流が 0 になるとオフになります。逆バイアスがかかっている場合 (Vak < 0)、ダイオードはオフ状態のままとなります。
Diode ブロックは、スイッチと直列に接続されている抵抗器、インダクター、および DC 電圧源によってシミュレートされます。スイッチの動作は、電圧 Vak と電流 Iak によって制御されます。
Diode ブロックには、ダイオード デバイスと並列に接続できる直列 Rs-Cs スナバ回路も含まれています (ノード A とノード K の間)。
例
power_diode
の例は、Diode ブロック、RL 負荷、および AC Voltage Source ブロックで構成される単一パルス整流器を示しています。
仮定と制限
Diode ブロックは、ダイオード デバイスのマクロ モデルを実装します。デバイスの形状も、状態変化の基となる複雑な物理プロセスも考慮されません [1]。遮断状態での漏れ電流や逆回復 (負の) 電流は考慮されません。ほとんどの回路で、逆電流はコンバーターなどのデバイスの特性に影響しません。
インダクタンス Lon の値に応じて、ダイオードは電流源 (Lon > 0) または可変トポロジ回路 (Lon = 0) としてモデル化されます。Diode ブロックは、スナバ回路が使用されていない限り、インダクター、電流源、あるいは開回路と直列に接続することはできません。
回路を離散化する場合、インダクタンス Lon は強制的に 0 となります。
端子
出力
保存
パラメーター
参照
[1] Rajagopalan, V., Computer-Aided Analysis of Power Electronic Systems, Marcel Dekker, Inc., New York, 1987.
[2] Mohan, N., T.M. Undeland, and W.P. Robbins, Power Electronics: Converters, Applications, and Design, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1995.
拡張機能
バージョン履歴
R2006a より前に導入